Транзисторная MOSFET-сборка ZVN4525E6
(Онлайн справочник радиолюбителя)
ZVN4525E6 представляет собой один N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.
Производитель микросхемы - Diodes Incorporated.
Назначение выводов:
- G (Gate) - затвор транзистора;
- D (Drain) - исток транзистора;
- S (Source) - сток транзистора;
Маркировка: N52 ym, где:
y - код года выпуска;
m - код месяца выпуска;
Характеристики ZVN4525E6:
Максимальное напряжение сток-исток 250 В;
Максимальный ток сток-исток 0.2 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±40 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 5.9 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 1 нс;
Время перехода в закрытое состояние 11 нс;
Емкость затвор-исток 72 пф.
Область применения ZVN4525E6 - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.
Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на ZVN4525E6 можно здесь.
Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.
Комментарии:
Добавить комментарий: