Транзисторная MOSFET-сборка FDC2512
(Онлайн справочник радиолюбителя)
FDC2512 представляет собой один N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.
Производитель микросхемы - ON Semiconductor.
Назначение выводов:
- G (Gate) - затвор транзистора;
- D (Drain) - исток транзистора;
- S (Source) - сток транзистора;
Маркировка: 252 w, где:
w - код недели выпуска;
Характеристики FDC2512:
Максимальное напряжение сток-исток 150 В;
Максимальный ток сток-исток 1.4 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.475 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 4 S;
Напряжение открытия затвор-исток 4 В;
Время перехода в открытое состояние 6 нс;
Время перехода в закрытое состояние 22 нс;
Емкость затвор-исток 344 пф.