Транзисторная MOSFET-сборка FDC645N
(Онлайн справочник радиолюбителя)
FDC645N представляет собой один N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.
Производитель микросхемы - ON Semiconductor.
Назначение выводов:
- G (Gate) - затвор транзистора;
- D (Drain) - исток транзистора;
- S (Source) - сток транзистора;
Маркировка: 645 .
Характеристики FDC645N:
Максимальное напряжение сток-исток 30 В;
Максимальный ток сток-исток 5.5 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±12 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.03 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 33 S;
Напряжение открытия затвор-исток 2 В;
Время перехода в открытое состояние 8 нс;
Время перехода в закрытое состояние 35 нс;
Емкость затвор-исток 1460 пф.
Область применения FDC645N - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.
Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на FDC645N можно здесь.
Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.
Комментарии:
Добавить комментарий: