Повышающий DC/DC конвертер H8116A30NR
(Онлайн справочник радиолюбителя)
Микросхема H8116A30NR предназначена для преобразования постоянного напряжения батареи или аккумулятора в напряжение 3V, необходимое для питания микросхем контроллеров, оперативной и флеш-памяти и т. д.
Производитель микросхемы - Shanghai Siproin Microelectronics Co..
Назначение выводов:
- GND (Ground) - земля, общий провод;
- SW (Switch) - вход подключаемый к дросселю;
- OUT (Output) - выход преобразователя напряжения.
Маркировка: B1v wp, где:
w - код недели выпуска;
p - номер партии;
Характеристики H8116A30NR:
Выходное напряжение 3 V;
Минимальное входное напряжение 0.9 V;
Максимальное входное напряжение 7.5 V;
Максимальный выходной ток 1 A;
Макс. рассеиваемая мощность 0.25 V*A;
Максимальная частота генерации 0.3 Mhz;
Микросхема представляет собой повышающий импульсный преобразователь напряжения с фиксированным выходным напряжением. Благодаря тому, что цепи обратной связи находятся внутри микросхемы для ее работы необходим минимум выводов и дополнительных компонентов. Конструктивное исполнение - корпус SOT-23.
Основной особенностью преобразователей такого типа является низкое энергопотребление при минимальной нагрузке, что обеспечивает длительное время работы устройства, находящегося в спящем режиме. А также низкое значение минимального входного напряжения, что позволяет использовать батарею практически до полного разряда.
Микросхемы H8116A30NR часто применяются в беcпроводных клавиатурах, мышах, Bluetooth-гарнитурах и т. д.
Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на микросхему H8116A30NR можно здесь.
Комментарии:
Добавить комментарий: