Смотрите также:



Использование cookie

Микросхема защиты портов TPESD0514S6

(Онлайн справочник радиолюбителя)


TPESD0514S6 это микросхема защиты от статического электричества - ElectroStatic Discharge Protection (сокращенно ESD protection). Предназначена для защиты интерфейсных микросхем, контроллеров, процессоров от импульсов статического напряжения, попадающих на вход порта при подключении к разъему периферийных устройств.

Производитель микросхемы - TEECH PUBLIC.

Внутренняя схема микросхемы следующая:

IO1 IO2 IO3 IO4 GND 1 2 3 4 5 6 VCC

Cхема схема включения микросхемы TPESD0514S6 применительно к контроллеру USB-портов следующая:

ESD PROTECTION VCC D+ D+ D- D- GND GND USB1 USB2 USB Контроллер 1 2 3 6 5 4

Назначение выводов:

SMD маркировка 63p 1 2 3 4 IO1 GND IO2 IO3 VCC 5 6 IO4 63p
  • GND (Ground) - земля, общий провод;
  • IO1 (Input - Output 1) - вход / выход №1 - подключается к линии передачи данных;
  • IO2 (Input - Output 2) - вход / выход №2 - подключается к линии передачи данных;
  • IO3 (Input - Output 3) - вход / выход №3 - подключается к линии передачи данных;
  • IO4 (Input - Output 4) - вход / выход №4 - подключается к линии передачи данных;
  • VCC - вход напряжения питания;

Маркировка: 63 p, где:

p - номер партии;

Характеристики TPESD0514S6:

Номинальное рабочее напряжение 5 V;
Напряжение начала пробоя VBR min 6 V;
Напряжение пробоя VCL 16 V;
Емкость между IO и GND 0.6 pF;
Максимальная импульсная мощность 250 Вт;



Микросхема представляет собой набор диодов Шоттки и стабилитрон. При подаче кратковременного импульса на один из выводов IO или VCC стабилитрон пробивается и импульс не проходит далее по цепям. В результате все микросхемы устройства должны остаться целыми.

Номинальное напряжение - напряжение, при котором стабилитрон закрыт и микросхема не оказывает влияния на сигналы, подключенные к ней.

VBR min (Breakdown Voltage) - напряжение, при котором стабилитрон начинает пробиваться и ток между выводом IO и GND становится равным одному миллиамперу.

VCL (Clamping Voltage) - напряжение, при котором стабилитрон полностью пробился и ток между выводом IO и GND становится равным нескольким амперам.

Максимальная импульсная мощность - мощность, которую может рассеять микросхема без повреждения при попадании на вывод импульса длительностью 20 микросекунд.

Микросхемы TPESD0514S6 могут применяться для защиты портов USB2, USB3, SATA, PCI Express, HDMI и DVI интерфейсов в компьютерах, ноутбуках, медиаприставках, мониторах и другой электронной технике.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на микросхему TPESD0514S6 можно здесь.

Мы не нашли ссылки для заказа этой микросхемы, поэтому предлагаем посмотреть другие микросхемы с близкими к TPESD0514S6 параметрами и аналогичной цоколевкой:

Мар­ки­ров­ка Наз­ва­ние Выводы UBR min, V Ем­кость, pF Имп. мощн., Вт PDF Ку­пить
6 5 4
1 2 3
C96ypAZC099-04SIO4VCCIO36.00.80300
IO1GNDIO2
V05SRV05-4.TCTIO4VCCIO36.00.80300
IO1GNDIO2

Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.