Транзисторная MOSFET-сборка DMN2100UDM
(Онлайн справочник радиолюбителя)
DMN2100UDM представляет собой один N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6. Для защиты от пробоя прибора статическим электричеством (ElectroStatic Discharge Protection) между затвором и истоком установлен специальный стабилитрон.
Производитель микросхемы - Diodes Incorporated.
Назначение выводов:
- G (Gate) - затвор транзистора;
- D (Drain) - исток транзистора;
- S (Source) - сток транзистора;
Маркировка: 2N1 ym, где:
y - код года выпуска;
m - код месяца выпуска;
Характеристики DMN2100UDM:
Максимальное напряжение сток-исток 20 В;
Максимальный ток сток-исток 4 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±8 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.07 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 8 S;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 53 нс;
Время перехода в закрытое состояние 561 нс;
Емкость затвор-исток 555 пф.
Область применения DMN2100UDM - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.
Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на DMN2100UDM можно здесь.
Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.
Комментарии:
Добавить комментарий: