Транзисторная MOSFET-сборка DMN3033LDM
(Онлайн справочник радиолюбителя)
DMN3033LDM представляет собой один N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.
Производитель микросхемы - Diodes Incorporated.
Назначение выводов:
- G (Gate) - затвор транзистора;
- D (Drain) - исток транзистора;
- S (Source) - сток транзистора;
Маркировка: NA5 ym, где:
y - код года выпуска;
m - код месяца выпуска;
Характеристики DMN3033LDM:
Максимальное напряжение сток-исток 30 В;
Максимальный ток сток-исток 6.9 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.033 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 2 Вт;
Напряжение открытия затвор-исток 2 В;
Время перехода в открытое состояние 11 нс;
Время перехода в закрытое состояние 63 нс;
Емкость затвор-исток 755 пф.
Область применения DMN3033LDM - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.
Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на DMN3033LDM можно здесь.
Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.
Комментарии:
Добавить комментарий: