Транзисторная MOSFET-сборка ZXM62P02E6
(Онлайн справочник радиолюбителя)
ZXM62P02E6 представляет собой один P-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.
Производитель микросхемы - Diodes Incorporated.
Назначение выводов:
- G (Gate) - затвор транзистора;
- D (Drain) - исток транзистора;
- S (Source) - сток транзистора;
Маркировка: 2P02 ym, где:
y - код года выпуска;
m - код месяца выпуска;
Характеристики ZXM62P02E6:
Максимальное напряжение сток-исток -20 В;
Максимальный ток сток-исток -2.3 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±12 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.2 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 1 S;
Время перехода в открытое состояние 4 нс;
Время перехода в закрытое состояние 12 нс;
Емкость затвор-исток 320 пф.
Область применения ZXM62P02E6 - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.
Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на ZXM62P02E6 можно здесь.
Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.
Комментарии:
Добавить комментарий: