Транзисторная MOSFET-сборка ZXMN10B08E6
(Онлайн справочник радиолюбителя)
ZXMN10B08E6 представляет собой один N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.
Производитель микросхемы - Diodes Incorporated.
Назначение выводов:
- G (Gate) - затвор транзистора;
- D (Drain) - исток транзистора;
- S (Source) - сток транзистора;
Маркировка: 10B8 ym, где:
y - код года выпуска;
m - код месяца выпуска;
Характеристики ZXMN10B08E6:
Максимальное напряжение сток-исток 100 В;
Максимальный ток сток-исток 1.9 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.3 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 4 S;
Напряжение открытия затвор-исток 3 В;
Время перехода в открытое состояние 2 нс;
Время перехода в закрытое состояние 12 нс;
Емкость затвор-исток 497 пф.
Область применения ZXMN10B08E6 - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.
Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на ZXMN10B08E6 можно здесь.
Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.
Комментарии:
Добавить комментарий: