Транзисторная MOSFET-сборка AP2003
(Онлайн справочник радиолюбителя)
AP2003 представляет собой сборку из N-канального и P-канального MOSFET-транзисторов в корпусе SOT-23-6.
Назначение выводов:
- G1 (Gate) - затвор первого транзистора;
- D1 (Drain) - сток первого транзистора;
- S1 (Source) - исток первого транзистора;
- G2 (Gate) - затвор второго транзистора;
- D2 (Drain) - сток второго транзистора;
- S2 (Source) - исток второго транзистора;
Маркировка: 2003 .
Характеристики AP2003:
N-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток 20 В;
Максимальный ток сток-исток 3 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±12 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.035 Ом;
Крутизна характеристики 8 S;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 2 нс;
Время перехода в закрытое состояние 21 нс;
Емкость затвор-исток 260 пф.
P-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток -20 В;
Максимальный ток сток-исток -3 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±12 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.075 Ом;
Крутизна характеристики 9 S;
Напряжение открытия затвор-исток -1 В;
Время перехода в открытое состояние 11 нс;
Время перехода в закрытое состояние 22 нс;
Емкость затвор-исток 325 пф.
Область применения AP2003 - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.
Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на AP2003 можно здесь.
Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.
Комментарии:
Добавить комментарий: