Транзисторная MOSFET-сборка FDC6305N
(Онлайн справочник радиолюбителя)
FDC6305N представляет собой сборку из двух N-канальных MOSFET-транзисторов в корпусе SOT-23-6.
Производитель микросхемы - ON Semiconductor.
Назначение выводов:
- G1 (Gate) - затвор первого транзистора;
- D1 (Drain) - сток первого транзистора;
- S1 (Source) - исток первого транзистора;
- G2 (Gate) - затвор второго транзистора;
- D2 (Drain) - сток второго транзистора;
- S2 (Source) - исток второго транзистора;
Маркировка: 305 w, где:
w - код недели выпуска;
Характеристики FDC6305N:
Максимальное напряжение сток-исток 20 В;
Максимальный ток сток-исток 2.7 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±8 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.08 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 8 S;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 5 нс;
Время перехода в закрытое состояние 11 нс;
Емкость затвор-исток 310 пф.