Транзисторная MOSFET-сборка WNM01N11
(Онлайн справочник радиолюбителя)
WNM01N11 представляет собой один N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.
Производитель микросхемы - Will Semiconductor Ltd.
Назначение выводов:
- G (Gate) - затвор транзистора;
- D (Drain) - исток транзистора;
- S (Source) - сток транзистора;
Маркировка: 1N11 ppyw, где:
y - код года выпуска;
w - код недели выпуска;
p - номер партии;
Характеристики WNM01N11:
Максимальное напряжение сток-исток 110 В;
Максимальный ток сток-исток 1.8 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.23 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 1 S;
Напряжение открытия затвор-исток 2 В;
Время перехода в открытое состояние 11 нс;
Время перехода в закрытое состояние 32 нс;
Емкость затвор-исток 300 пф.
Область применения WNM01N11 - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.
Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на WNM01N11 можно здесь.
Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.
Комментарии:
Добавить комментарий: