Транзисторная MOSFET-сборка NCE6602N
(Онлайн справочник радиолюбителя)
NCE6602N представляет собой сборку из N-канального и P-канального MOSFET-транзисторов в корпусе SOT-23-6.
Назначение выводов:
- G1 (Gate) - затвор первого транзистора;
- D1 (Drain) - сток первого транзистора;
- S1 (Source) - исток первого транзистора;
- G2 (Gate) - затвор второго транзистора;
- D2 (Drain) - сток второго транзистора;
- S2 (Source) - исток второго транзистора;
Маркировка: 6602N .
Характеристики NCE6602N:
N-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток 30 В;
Максимальный ток сток-исток 3.5 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.058 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 4 S;
Напряжение открытия затвор-исток 2 В;
Время перехода в открытое состояние 4 нс;
Время перехода в закрытое состояние 18 нс;
Емкость затвор-исток 251 пф.
P-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток -30 В;
Максимальный ток сток-исток -2.7 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.1 Ом;
Крутизна характеристики 2 S;
Напряжение открытия затвор-исток -2 В;
Время перехода в открытое состояние 8 нс;
Время перехода в закрытое состояние 12 нс;
Емкость затвор-исток 278 пф.
Область применения NCE6602N - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.
Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на NCE6602N можно здесь.
Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.
Комментарии:
Добавить комментарий: