Транзисторная MOSFET-сборка WNMD2176-6/TR
(Онлайн справочник радиолюбителя)
WNMD2176-6/TR представляет собой сборку из двух N-канальных MOSFET-транзисторов в корпусе SOT-23-6. Для защиты от пробоя прибора статическим электричеством (ElectroStatic Discharge Protection) между затвором и истоком установлен специальный стабилитрон.
Производитель микросхемы - Will Semiconductor Ltd.
Назначение выводов:
- G1 (Gate) - затвор первого транзистора;
- D1 (Drain) - сток первого транзистора;
- S1 (Source) - исток первого транзистора;
- G2 (Gate) - затвор второго транзистора;
- D2 (Drain) - сток второго транзистора;
- S2 (Source) - исток второго транзистора;
Маркировка: 2176 ppyw, где:
y - код года выпуска;
w - код недели выпуска;
p - номер партии;
Характеристики WNMD2176-6/TR:
Максимальное напряжение сток-исток 20 В;
Максимальный ток сток-исток 2.6 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±10 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.056 Ом;
Крутизна характеристики 11 S;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 12 нс;
Время перехода в закрытое состояние 29 нс;
Емкость затвор-исток 190 пф.
Область применения WNMD2176-6/TR - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.
Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на WNMD2176-6/TR можно здесь.
Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.
Комментарии:
Добавить комментарий: