Транзисторная MOSFET-сборка FDC606P
(Онлайн справочник радиолюбителя)
FDC606P представляет собой один P-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.
Производитель микросхемы - ON Semiconductor.
Назначение выводов:
- G (Gate) - затвор транзистора;
- D (Drain) - исток транзистора;
- S (Source) - сток транзистора;
Маркировка: 606 p, где:
p - номер партии;
Характеристики FDC606P:
Максимальное напряжение сток-исток -12 В;
Максимальный ток сток-исток -6 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±8 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.035 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 25 S;
Напряжение открытия затвор-исток -1 В;
Время перехода в открытое состояние 11 нс;
Время перехода в закрытое состояние 89 нс;
Емкость затвор-исток 1699 пф.
Область применения FDC606P - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.
Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на FDC606P можно здесь.
Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.
Комментарии:
Добавить комментарий: