Транзисторная MOSFET-сборка FDC3512
(Онлайн справочник радиолюбителя)
FDC3512 представляет собой один N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.
Производитель микросхемы - ON Semiconductor.
Назначение выводов:
- G (Gate) - затвор транзистора;
- D (Drain) - исток транзистора;
- S (Source) - сток транзистора;
Маркировка: 352 .
Характеристики FDC3512:
Максимальное напряжение сток-исток 80 В;
Максимальный ток сток-исток 3 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.077 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 14 S;
Напряжение открытия затвор-исток 4 В;
Время перехода в открытое состояние 7 нс;
Время перехода в закрытое состояние 24 нс;
Емкость затвор-исток 634 пф.