Транзисторная MOSFET-сборка STT6N3LLH6
(Онлайн справочник радиолюбителя)
STT6N3LLH6 представляет собой один N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.
Производитель микросхемы - STMicroelectronics.
Назначение выводов:
- G (Gate) - затвор транзистора;
- D (Drain) - исток транзистора;
- S (Source) - сток транзистора;
Маркировка: STG1 .
Характеристики STT6N3LLH6:
Максимальное напряжение сток-исток 30 В;
Максимальный ток сток-исток 6 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.021 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 4 нс;
Время перехода в закрытое состояние 9 нс;
Емкость затвор-исток 283 пф.