Транзисторная MOSFET-сборка FDC658P
(Онлайн справочник радиолюбителя)
FDC658P представляет собой один P-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.
Производитель микросхемы - ON Semiconductor.
Назначение выводов:
- G (Gate) - затвор транзистора;
- D (Drain) - исток транзистора;
- S (Source) - сток транзистора;
Маркировка: 658 .
Характеристики FDC658P:
Максимальное напряжение сток-исток -30 В;
Максимальный ток сток-исток -4 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.041 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 9 S;
Напряжение открытия затвор-исток -3 В;
Время перехода в открытое состояние 12 нс;
Время перехода в закрытое состояние 24 нс;
Емкость затвор-исток 750 пф.