Транзисторная MOSFET-сборка FDC6306P
(Онлайн справочник радиолюбителя)
FDC6306P представляет собой сборку из двух P-канальных MOSFET-транзисторов в корпусе SOT-23-6.
Производитель микросхемы - ON Semiconductor.
Назначение выводов:
- G1 (Gate) - затвор первого транзистора;
- D1 (Drain) - сток первого транзистора;
- S1 (Source) - исток первого транзистора;
- G2 (Gate) - затвор второго транзистора;
- D2 (Drain) - сток второго транзистора;
- S2 (Source) - исток второго транзистора;
Маркировка: 306 .
Характеристики FDC6306P:
Максимальное напряжение сток-исток -20 В;
Максимальный ток сток-исток -1.9 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±8 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.182 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 4 S;
Напряжение открытия затвор-исток -1 В;
Время перехода в открытое состояние 6 нс;
Время перехода в закрытое состояние 14 нс;
Емкость затвор-исток 441 пф.