Транзисторная MOSFET-сборка FDC6420C
(Онлайн справочник радиолюбителя)
FDC6420C представляет собой сборку из N-канального и P-канального MOSFET-транзисторов в корпусе SOT-23-6.
Производитель микросхемы - ON Semiconductor.
Назначение выводов:
- G1 (Gate) - затвор первого транзистора;
- D1 (Drain) - сток первого транзистора;
- S1 (Source) - исток первого транзистора;
- G2 (Gate) - затвор второго транзистора;
- D2 (Drain) - сток второго транзистора;
- S2 (Source) - исток второго транзистора;
Маркировка: 420 .
Характеристики FDC6420C:
N-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток 20 В;
Максимальный ток сток-исток 3 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±12 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.07 Ом;
Крутизна характеристики 10 S;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 5 нс;
Время перехода в закрытое состояние 13 нс;
Емкость затвор-исток 324 пф.
P-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток -20 В;
Максимальный ток сток-исток -2.2 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±12 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.125 Ом;
Крутизна характеристики 6 S;
Напряжение открытия затвор-исток -1 В;
Время перехода в открытое состояние 9 нс;
Время перехода в закрытое состояние 10 нс;
Емкость затвор-исток 337 пф.