Смотрите также:



Использование cookie

Транзисторная MOSFET-сборка FDC6327C


FDC6327C представляет собой сборку из N-канального и P-канального MOSFET-транзисторов в корпусе SOT-23-6.

Производитель микросхемы - ON Semiconductor.

1 2 3 4 5 6 G1 S2 G2 D2 S1 D1

Назначение выводов:

SMD маркировка 327m 1 2 3 4 G1 S2 G2 D2 S1 5 6 D1 327m
  • G1 (Gate) - затвор первого транзистора;
  • D1 (Drain) - исток первого транзистора;
  • S1 (Source) - сток первого транзистора;
  • G2 (Gate) - затвор второго транзистора;
  • D2 (Drain) - исток второго транзистора;
  • S2 (Source) - сток второго транзистора;

Маркировка: 327 m, где:

m - код месяца выпуска;

Характеристики FDC6327C:

N-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток 20 В;
Максимальный ток сток-исток 2.7 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±8 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.08 Ом;
Крутизна характеристики 7 S;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 5 нс;
Время перехода в закрытое состояние 9 нс;
Емкость затвор-исток 325 пф.

P-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток -20 В;
Максимальный ток сток-исток -1.6 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±8 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.17 Ом;
Крутизна характеристики 4 S;
Напряжение открытия затвор-исток -1 В;
Время перехода в открытое состояние 7 нс;
Время перехода в закрытое состояние 14 нс;
Емкость затвор-исток 315 пф.



Область применения FDC6327C - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на FDC6327C можно здесь.

Купить FDC6327C можно здесь.


Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.