Смотрите также:



Использование cookie

Транзисторная MOSFET-сборка IRF5800TR


IRF5800TR представляет собой один P-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.

1 2 3 4 5 6 D D D D G S

Назначение выводов:

SMD маркировка 3Ayw 1 2 3 4 D D G S D 5 6 D 3Ayw
  • G (Gate) - затвор транзистора;
  • D (Drain) - исток транзистора;
  • S (Source) - сток транзистора;

Маркировка: 3A yw, где:

y - код года выпуска;
w - код недели выпуска;

Характеристики IRF5800TR:

Максимальное напряжение сток-исток -30 В;
Максимальный ток сток-исток -4 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.085 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 2 Вт;
Крутизна характеристики 3 S;
Напряжение открытия затвор-исток -1 В;
Время перехода в открытое состояние 11 нс;
Время перехода в закрытое состояние 24 нс;
Емкость затвор-исток 535 пф.



Область применения IRF5800TR - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на IRF5800TR можно здесь.

Купить IRF5800TR можно здесь.


Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.