Смотрите также:



Использование cookie

Транзисторная MOSFET-сборка AO6601


AO6601 представляет собой сборку из N-канального и P-канального MOSFET-транзисторов в корпусе SOT-23-6.

1 2 3 4 5 6 G1 S2 G2 D2 S1 D1

Назначение выводов:

SMD маркировка F1wp 1 2 3 4 G1 S2 G2 D2 S1 5 6 D1 F1wp
  • G1 (Gate) - затвор первого транзистора;
  • D1 (Drain) - исток первого транзистора;
  • S1 (Source) - сток первого транзистора;
  • G2 (Gate) - затвор второго транзистора;
  • D2 (Drain) - исток второго транзистора;
  • S2 (Source) - сток второго транзистора;

Маркировка: F1 wp, где:

w - код недели выпуска;
p - номер партии;

Характеристики AO6601:

N-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток 30 В;
Максимальный ток сток-исток 3.4 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±12 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.06 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 14 S;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 3 нс;
Время перехода в закрытое состояние 17 нс;
Емкость затвор-исток 182 пф.

P-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток -30 В;
Максимальный ток сток-исток -2.3 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±12 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.115 Ом;
Крутизна характеристики 8 S;
Напряжение открытия затвор-исток -1 В;
Время перехода в открытое состояние 6 нс;
Время перехода в закрытое состояние 20 нс;
Емкость затвор-исток 205 пф.



Область применения AO6601 - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на AO6601 можно здесь.

Купить AO6601 можно здесь.


Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.