Смотрите также:



Использование cookie

Транзисторная MOSFET-сборка FDC6321C


FDC6321C представляет собой сборку из N-канального и P-канального MOSFET-транзисторов в корпусе SOT-23-6. Для защиты от пробоя прибора статическим электричеством (ElectroStatic Discharge Protection) между затвором и истоком установлен специальный стабилитрон.

Производитель микросхемы - ON Semiconductor.

1 2 3 4 5 6 G1 S2 G2 D2 S1 D1

Назначение выводов:

SMD маркировка 321m 1 2 3 4 G1 S2 G2 D2 S1 5 6 D1 321m
  • G1 (Gate) - затвор первого транзистора;
  • D1 (Drain) - исток первого транзистора;
  • S1 (Source) - сток первого транзистора;
  • G2 (Gate) - затвор второго транзистора;
  • D2 (Drain) - исток второго транзистора;
  • S2 (Source) - сток второго транзистора;

Маркировка: 321 m, где:

m - код месяца выпуска;

Характеристики FDC6321C:

N-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток 25 В;
Максимальный ток сток-исток 0.7 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±8 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.45 Ом;
Крутизна характеристики 1 S;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 6 нс;
Время перехода в закрытое состояние 30 нс;
Емкость затвор-исток 50 пф.

P-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток -25 В;
Максимальный ток сток-исток -0.5 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±8 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 1.1 Ом;
Напряжение открытия затвор-исток -1 В;
Время перехода в открытое состояние 20 нс;
Время перехода в закрытое состояние 110 нс;
Емкость затвор-исток 63 пф.



Область применения FDC6321C - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на FDC6321C можно здесь.

Купить FDC6321C можно здесь.


Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.