Транзисторная MOSFET-сборка FDC6321C
(Онлайн справочник радиолюбителя)
FDC6321C представляет собой сборку из N-канального и P-канального MOSFET-транзисторов в корпусе SOT-23-6. Для защиты от пробоя прибора статическим электричеством (ElectroStatic Discharge Protection) между затвором и истоком установлен специальный стабилитрон.
Производитель микросхемы - ON Semiconductor.
Назначение выводов:
- G1 (Gate) - затвор первого транзистора;
- D1 (Drain) - сток первого транзистора;
- S1 (Source) - исток первого транзистора;
- G2 (Gate) - затвор второго транзистора;
- D2 (Drain) - сток второго транзистора;
- S2 (Source) - исток второго транзистора;
Маркировка: 321 m, где:
m - код месяца выпуска;
Характеристики FDC6321C:
N-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток 25 В;
Максимальный ток сток-исток 0.7 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±8 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.45 Ом;
Крутизна характеристики 1 S;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 6 нс;
Время перехода в закрытое состояние 30 нс;
Емкость затвор-исток 50 пф.
P-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток -25 В;
Максимальный ток сток-исток -0.5 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±8 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 1.1 Ом;
Напряжение открытия затвор-исток -1 В;
Время перехода в открытое состояние 20 нс;
Время перехода в закрытое состояние 110 нс;
Емкость затвор-исток 63 пф.